特色
- 平面模具结构
- 350mW功耗
- 完全无铅
- 无卤素和锑-绿色设备
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
BZX84C6V8
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 250毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 江苏长电/长晶 (CJ)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 15000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 0.12051 | 12.05150 |
| 1000+ | 0.11369 | 113.69200 |
| 3000+ | 0.10118 | 303.54900 |
| 10000+ | 0.07149 | 714.95000 |
| 50000+ | 0.06745 | 3372.65000 |
- 库存: 120000
- 单价: ¥0.09957
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,072.43
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大功率 250毫瓦
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 标称齐纳电压 (Vz) 6.8 V
- 最大阻抗值 (Zzt) 15欧姆
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 2.A@4伏
- 公差 ±5%
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 江苏长电/长晶 (CJ)
BZX84C6V8 产品详情
BZX84C6V8是一个表面安装齐纳二极管，带有模制塑料外壳和在合金42引线框架（无铅电镀）端子上退火的亚光锡。它非常适合自动化装配过程。
BZX84C6V8 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX84C6V8所属分类：单齐纳二极管，BZX84C6V8 由 江苏长电/长晶 (CJ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX84C6V8价格参考￥0.099568，你可以下载 BZX84C6V8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX84C6V8规格参数、现货库存、封装信息等信息！
江苏长电/长晶 (CJ)
江苏长晶科技股份有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体产品研发、设计和销售公司，公司成立于2018年11月，总部坐落于江苏南京江北新区研创园，在深圳、上海、北京、香港、台湾等地设立子公司、分公...
