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BZX84B3V3-G3-18,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小型信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如BZX84B3 V3-V-G-18,单位重量设计为0.000286盎司,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2,配置为单一,公差为±2%,最大功率为300mW,电压齐纳标称Vz为3.3V,阻抗最大Zzt为95欧姆,电流反向泄漏Vr为5μA@1V,Pd功耗为300 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为3.3 V,电压容差为2%,电压温度系数为-0.3 mV/C,Zz齐纳阻抗为95欧姆,Ir反向电流为5 uA。
BZX84B3V3-HE3-08带有用户指南,包括95欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于3.3 V Vz齐纳电压,数据表中显示了用于3.3V的电压齐纳标称Vz,提供2%的电压容差特性,电压温度系数设计用于-0.3 mV/C,以及0.000310盎司的单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOT-23-3,该设备为AEC-Q101系列汽车产品,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为300mW,Pd功耗为300mW;包装为胶带和卷筒(TR)交替包装,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为5 uA,阻抗最大Zzt为95 Ohm,反向电流Vr为5μA@1V,配置为单一。
BZX84B3V3-HE3-18带电路图,包括单一配置,设计用于在5μa@1V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于95欧姆,提供Ir反向电流特性,如5 uA,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒,封装为胶带和卷轴(TR)交替封装,Pd功耗为300mW,最大功率为300mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为汽车、AEC-Q101、,供应商设备包为SOT-23-3,公差为±2%,单位重量为0.000310盎司,电压温度系数为-0.3 mV/C,电压公差为2%,电压齐纳标称Vz为3.3V,Vz齐纳电压为3.3V、Zz齐纳阻抗为95欧姆。
BZX84B3V3LT1G是DIODE ZENER 3.3V 250MW SOT23,包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包功能,如SOT-23-2(TO-236),系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了95欧姆阻抗最大Zzt,该器件还可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If,其工作温度范围为-65°C ~ 150°C,该器件提供5μA@1V电流反向泄漏Vr,该器件具有3.3V电压齐纳标称Vz,功率最大为250mW,容差为±2%。