9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84C3V6-HE3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C3V6-HE3-08参考价格为0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84C3V6-HE3-08封装/规格:DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84C3V6-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如BZX84C3V6-HE3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BZX84C30-7-F是DIODE ZENER 30V 300MW SOT23-3,包括BZX84C30系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为1毫米,长度为2.9毫米,设备也可以用作1.3毫米宽。此外,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-65°C~150°C,设备为安装型表面安装,供应商设备包装为SOT-23-2,配置为单一,公差为±7%,最大功率为300mW,电压齐纳标称Vz为30V,阻抗最大Zzt为80欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@21V,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为350mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为30 V,电压容差为5%,电压温度系数为26.9 mV/C,齐纳电流为2 mA,Zz齐纳阻抗为80欧姆,Ir反向电流为100nA。
BZX84C30-7是DIODE ZENER 30V 300MW SOT23-3,包括30V电压齐纳标称Vz,设计为在900mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±7%,提供了SOT-23-3等供应商设备包功能,最大功率设计为300MW,以及切割带(CT)封装,该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用,其工作温度范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装安装型,该器件的阻抗最大值为80欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@21V。
BZX84C30-7-01-F,电路图由DIODES制造。BZX84C30-7-01-F采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。