9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5223B-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5223B-TR参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5223B-TR封装/规格:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35。您可以下载1N5223B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如1N5223B-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
1N5223B-TAP是DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带盒(TB)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004409盎司,具有通孔、高度设计为1.7毫米,以及3.9毫米长的安装方式,该设备也可以用作1.7毫米宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为500mW,电压齐纳标称Vz为2.7V,阻抗最大值Zzt为30欧姆,电流反向泄漏Vr为75μa@1V,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为2.7 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.08%/K,齐纳电流为20 mA,Zz齐纳阻抗为30欧姆,Ir反向电流为75uA。
1N5223B-TP是DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35,包括30欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计为在2毫米宽的情况下工作,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于2.7 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如2.7V,电压容差设计为在5%范围内工作,以及-0.08%/C电压温度系数,该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外,单位重量为0.004833 oz,该装置的公差为±5%,该装置具有DO-35供应商装置包装,系列为1N522,最大功率为500mW,Pd功耗为500 mW,包装为切割胶带(CT)替代包装,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,它的工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,最小工作温度范围是-65℃,最大工作温度范围+200℃,长度为4.2 mm,Ir反向电流为75 uA,阻抗最大Zzt为30欧姆,高度为2 mm,电流反向泄漏Vr为75μA@1V,配置为单一。
带电路图的1N5223BTA,包括75μA@950mV电流反向泄漏Vr,设计用于在30欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,工作温度范围为200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-35,该设备的容差为±5%,该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为2.7V。