9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5222B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5222B-TR参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5222B-TR封装/规格：DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35。您可以下载1N5222B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5222B-TAP是DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装方式功能，如通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为2.5V，阻抗最大值Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100μa@1V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.5 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.085%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为100uA。
1N5222B-TP是DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35，包括1.25千欧Zz齐纳阻抗，它们设计为在20 mA齐纳电流下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于2.5 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如2.5V，电压容差设计为在5%范围内工作，以及-0.085%/C电压温度系数，该设备也可以用作1.1V@200mA电压正向Vf Max If。此外，200mA时的Vf正向电压为1.1V，该设备的单位重量为0.004833盎司，该设备具有±5%的公差，供应商设备包装为DO-35，系列为1N522，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为切割胶带（CT）替代包装，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为100 uA，阻抗最大值Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100μA@1V，配置为单一。
带电路图的1N5222BTA，包括100μA@950mV电流反向泄漏Vr，设计用于在30欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为2.5V。
