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MMBZ5227C-HE3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±2%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为3.6V，阻抗最大值Zzt为24欧姆，电流反向泄漏Vr为15μa@1V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3.6 V，电压容差为2%，电压温度系数为-0.065%/C，Zz齐纳阻抗为24欧姆，Ir反向电流为15 uA。
MMBZ5227ELT1是DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT23-3，包括3.6V电压齐纳标称Vz，设计用于在900mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果供应商设备包在SOT-23-3（to-236）中使用，提供225MW等最大功率功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及to-236-3、SC-59，SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备提供24欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有15μa@1V电流反向泄漏Vr。
MMBZ5227ELT1G是DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT23-3，包括15μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于24欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作225mW最大功率。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备提供900mV@10mA正向电压Vf Max。如果该设备具有3.6V的电压齐纳标称Vz。
