9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1J-6605E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1J-6605E3/61T参考价格为0.488美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1J-6605E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V。您可以下载S1J-6605E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1J-E3/61T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC，包括S1x系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供S1J-E3/5AT等零件别名功能，单位重量设计为0.00739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，并且Ir反向电流为1uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为40A，并且恢复时间为1800ns。
S1J-E3/5AT是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1 V@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V正向电压特性，单位重量设计为0.003739 oz，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S1x，该设备提供1.8μs反向恢复时间trr，该设备具有1800 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，零件别名为S1J-E3/61T，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为40 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1JFL，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该装置也可用作SOD-123F包装箱。此外，该包装为Digi-ReelR替代包装，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为SOD-123F，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@1A。
