- 应用范围：L波段VCO
- 电路数量：1
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：2.3-
- 装配底座：4.9 pF
- 装配底座：4 pF
- 装配底座：2.35 pF
- 装配底座：1.85 pF
- 装配底座：0.42Ω
应用
L波段VCO
1SV285TPH3F
- 描述:二极管种类: 单个的 电容@Vr、法数: 2.35皮法@4V，1MHz 电容比值: 2.3 供应商设备包装: ESC 工作温度: 125摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.09506 | 1.09506 |
| 10+ | 0.92854 | 9.28540 |
| 30+ | 0.84527 | 25.35825 |
| 100+ | 0.78282 | 78.28270 |
| 500+ | 0.73287 | 366.43650 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.09506
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,931.49
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规格参数
- 二极管种类 单个的
- 品质因数 (Q值) -
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SC-79，SOD-523
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 电容比值因素 C1/C4
- 最大反向峰值电压 10伏
- 工作温度 125摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 ESC
- 部件状态 不适用于新设计
- 电容比值 2.3
- 电容@Vr、法数 2.35皮法@4V，1MHz
1SV285TPH3F 产品详情
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| 1SV325H3F | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：12pF@4V,1MHz 电容比：4.3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：400mΩ | ¥2.63787 |
| 1SV305(TPH3F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：6.1pF@4V,1MHz 电容比：3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：270mΩ | ¥3.31048 |
| 1SV270(TPH3,F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：8pF@4V,1MHz 电容比：2@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：280mΩ | ¥1.0313 |
| 1SV323,H3F(T | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：7.1pF@4V,1MHz 电容比：4.3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：400mΩ | ¥1.01239 |
| 1SV229(TPH3F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：15V 二极管电容(CT)：6pF@10V,1MHz 电容比：2.5@C2V/C10V 串联电阻(Rs)：200mΩ | ¥0.81483 |
 | 1SV282(TPH3,F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：34V 二极管电容(CT)：2.85pF@25V,1MHz 电容比：12.5@C2V/C25V 串联电阻(Rs)：600mΩ | ¥1.49276 |
1SV285TPH3F所属分类：可变电容（变容二极管、变抗器），1SV285TPH3F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1SV285TPH3F价格参考￥1.095061，你可以下载 1SV285TPH3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1SV285TPH3F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
