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BZX79C51_T50A，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，设计用于0.004445盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可用于DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-35供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为51V，阻抗最大Zzt为180 Ohm，电流反向泄漏Vr为500nA@35.7V，电压正向Vf Max If为1.5V@100mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为5%，电压温度系数为44 mV/C，齐纳电流为2 mA，Zz齐纳阻抗为180欧姆，Ir反向电流为50nA。
BZX79-C51143是DIODE ZENER 51V 400MW ALF2，包括51V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如ALF2，功率最大值设计为400MW，以及磁带盒（TB）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有180欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为50nA@35.7V。
BZX79C51_T50R，带电路图，包括500nA@35.7V电流反向泄漏Vr，设计用于180 Ohm阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@100mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为51V。
