9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TLZ4V3B-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TLZ4V3B-GS08参考价格为0.27000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TLZ4V3B-GS08封装/规格：DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80。您可以下载TLZ4V3B-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TLZ47-GS18是DIODE ZENER 47V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.5 mm，长度3.5 mm，该装置也可以用作1.5mm宽。此外，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备为表面安装型，供应商设备封装为SOD-80 MiniMELF，配置为单体，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大Zzt为90 Ohm，电流反向泄漏Vr为40nA@41.8V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为46.5 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为90欧姆，Ir反向电流为40 nA。
TLZ4V3A-GS08是DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80，包括40欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.5毫米宽，数据表中显示了4.165 V中使用的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如4.3V，电压容差设计用于3%，以及1.5V@200mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.001827盎司单位重量。此外，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.5 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大值Zzt为40欧姆，高度为1.5 mm，反向电流Vr为3μA@1V，配置为单一。
TLZ4V3A-GS18是DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80，包括单一配置，它们设计为在3μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.5 mm，提供阻抗最大Zzt特性，例如40欧姆，Ir反向电流设计为在3uA下工作，长度为3.5 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃之间，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为SOD-80 MiniMELF，单位重量为0.001827 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为4.3V，Vz齐纳电压为4.165 V，宽度为1.5 mm，Zz齐纳阻抗为40欧姆。
