9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT52C10-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C10-HE3-08参考价格为0.3万美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT52C10-HE3-08封装/规格：DIODE ZENER 10V 410MW SOD123。您可以下载BZT52C10-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT52C12-7-F是DIODE ZENER 12V 500MW SOD123，包括BZT52C12系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000353盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.35 mm，长度为2.85 mm，设备也可以用作1.7 mm宽。此外，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备为安装型表面安装，供应商设备包装为SOD-13，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@8V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12 V，电压容差为5%，电压温度系数为8 mV/C，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZT52C12-13-F是DIODE ZENER 12V 500MW SOD123，包括25欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于12 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计为5%，以及8 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.000353盎司，设备提供±5%公差，该设备具有供应商设备包SOD-123，系列为BZT52C12，功率最大值为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+150 C，长度为2.85 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为25 Ohm，高度为1.35 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@8V，并且配置为单一。
BZT52C12-7是DIODE ZENER 12V 500MW SOD123，包括100nA@8V电流反向泄漏Vr，设计用于25欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于SOD-123，以及切割胶带（CT）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOD-123，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为12V。
