9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT52C33-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C33-HE3-08参考价格为0.3万美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT52C33-HE3-08封装/规格：DIODE ZENER 33V 410MW SOD123。您可以下载BZT52C33-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT52C33-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BZT52C33 V-G-08，单位重量设计为0.000363盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可作为SOD-123封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有供应商设备封装的SOD-123，配置为单一，公差为±5%，最大功率为410mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为40欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，Pd功耗为410mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为5%，电压温度系数为1 mV/C，齐纳电流为9 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZT52C33-G3-18带用户指南，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在9 mA齐纳电流下工作，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于33 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如33V，电压容差设计为在5%内工作，以及1 mV/C电压温度系数，该装置也可以用作0.000363盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备在SOD-123供应商设备包中提供，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为410mW，Pd功耗为410 mW，零件别名为BZT52C33-V-G-18，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-123，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C；Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为40 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，配置为单一。
BZT52C33-E3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在100nA@25V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于40欧姆，提供Ir反向电流特性，如100nA，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有SOD-123封装盒，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为410 mW，最大功率为410mW，产品为小信号齐纳二极管，系列为AEC-Q101，供应商设备包装为SOD-123，公差为±5%，单位重量为0.000363 oz，电压温度系数为1 mV/C，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为33 V，Vz齐纳电压为33 V、齐纳电流为9 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆。
