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BZX384B75-G3-18,带引脚细节,包括BZX384-G系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如BZX384B45-V-G-18,单位重量设计为0.000141盎司,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有供应商器件封装的SOD-323,配置为单一,容差为±2%,最大功率为200mW,电压齐纳标称Vz为75V,阻抗最大Zzt为255欧姆,电流反向泄漏Vr为50nA@52.5V,Pd功耗为200mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为75 V,电压容差为2%,电压温度系数为1.2 mV/C,Zz齐纳阻抗为95欧姆,Ir反向电流为50 nA。
BZX384B75-HE3-08带用户指南,包括95欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于75 V Vz齐纳电压,数据表中显示了用于75 V的电压齐纳标称Vz,提供2%的电压容差特性,电压温度系数设计用于1.2 mV/C,以及0.000152盎司的单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOD-323,该设备为BZX384系列,该设备具有产品小信号齐纳二极管,最大功率为200mW,Pd功耗为200mW;包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为SC-76,SOD-323;其工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为50 nA,阻抗最大Zzt为255 Ohm,电流反向泄漏Vr为50 nA@52.5V,配置为单一。
BZX384B75-HE3-18带电路图,包括单一配置,设计用于在50nA@52.5V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于255欧姆,提供Ir反向电流特性,如50nA,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件具有SC-76、SOD-323封装盒,封装为胶带和卷轴(TR)交替封装,Pd功耗为200mW,最大功率为200mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为BZX384,供应商器件封装为SOD-323,公差为±2%,单位重量为0.000152盎司,电压温度系数为1.2 mV/C,电压公差为2%,电压齐纳标称Vz为75V,Vz齐纳电压为75 V,Zz齐纳阻抗为95欧姆。
BZX384B75-V-GS08,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BZX384B75-V-GS08采用SOD-323封装,是IC芯片的一部分。