9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84B10-G3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84B10-G3-08参考价格为0.31000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84B10-G3-08封装/规格：DIODE ZENER 10V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84B10-G3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX84B10-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±2%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为10V，最大阻抗Zzt为20欧姆，反向电流泄漏Vr为200nA@7V，Pd功耗为300mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.8 mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为200 nA。
BZX84B10-HE3-18带用户指南，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10 V Vz齐纳电压，数据表中显示了10V电压下的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.8 mV/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为200 nA，阻抗最大值Zzt为20 Ohm，电流反向泄漏Vr为200nA@7V，配置为单一。
BZX84B10LT1G是DIODE ZENER 10V 250MW SOT23，包括200nA@7V电流反向泄漏Vr，设计用于在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为最大功率250mW使用。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在SOT-23-3（TO-236）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为10V。
BZX84B10-GS08，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BZX84B10-GS08采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
