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BZX84B4V3-G3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小型信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如BZX84B3V3-V-G-08,单位重量设计为0.000286盎司,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2,配置为单一,公差为±2%,最大功率为300mW,电压齐纳标称Vz为4.3V,阻抗最大Zzt为90欧姆,电流反向泄漏Vr为3μA@1V,Pd功耗为300 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为4.3 V,电压容差为2%,电压温度系数为-0.1 mV/C,Zz齐纳阻抗为90欧姆,Ir反向电流为3 uA。
BZX84B4V3-G3-18带用户指南,包括90欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于4.3V Vz齐纳电压,数据表中显示了4.3V齐纳标称Vz,提供2%的电压容差特性,电压温度系数设计用于-0.1mV/C,以及0.000286盎司的单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包为SOT-23-3,该设备为汽车AEC-Q101系列,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为300mW,Pd功耗为300mW。零件别名为BZX84B4V3-V-G-18,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-2,它的工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围-55°C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为3 uA,阻抗最大值Zzt为90欧姆,反向漏电流Vr为3μA@1V,配置为单一。
BZX84B4V3-HE3-08带电路图,包括单一配置,设计用于在3μa@1V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于90欧姆,提供Ir反向电流特性,如3 uA,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒,封装为胶带和卷轴(TR)交替封装,Pd功耗为300mW,最大功率为300mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为汽车、AEC-Q101、,供应商设备包为SOT-23-3,公差为±2%,单位重量为0.000310 oz,电压温度系数为-0.1 mV/C,电压公差为2%,电压齐纳标称Vz为4.3V,Vz齐纳电压为4.3 V,Zz齐纳阻抗为90欧姆。
BZX84B4V3-HE3-18,带EDA/CAD型号,包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替封装一起工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如SOT-23-2,安装类型设计为在SMD/SMT中工作,以及小信号齐纳二极管产品,该器件也可以用作单配置。此外,该系列为AEC-Q101汽车系列,该器件提供90欧姆Zz齐纳阻抗,该器件具有90欧姆阻抗最大Zzt,工作温度范围为-55°C~150°C,电压齐纳标称Vz为4.3V,Vz齐纳电压为4.3V;电流反向泄漏Vr为3μa@1V,功率最大值为300mW,Pd功耗为300mW,Ir反向电流为3 uA,电压容差为2%,单位重量为0.000310 oz,容差为±2%,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,电压温度系数为-0.1 mV/C。