9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT55B13-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT55B13-GS08参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT55B13-GS08封装/规格：DIODE ZENER 13V 500MW SOD80。您可以下载BZT55B13-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZT55B12-GS08是DIODE ZENER 12V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.6 mm，长度为3.7 mm，该装置也可以用作1.6mm宽。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@9.1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12V，电压容差为2%，电压温度系数为0.07%/K，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZT55B12-GS18是DIODE ZENER 12V 500MW SOD80，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.6mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，适用于12V，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计为2%，以及0.07%/K电压温度系数，该设备也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.001827盎司，该设备的公差为±2%，该设备具有SOD-80 QuadroMELF供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.7 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为1.6 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@9.1V，并且配置为单一。
BZT55B13是齐纳二极管13伏特500mW 2%，包括单配置，设计用于1.8 mm高度的工作，数据表中显示了用于100 nA的Ir反向电流，提供3.7 mm的长度特性，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装盒为MiniMelf-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有L1部分别名，Pd功耗为500mW，电压容差为2%，Vz齐纳电压为13V，宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为26欧姆。
