9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C24-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C24-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C24-TR封装/规格：DIODE ZENER 24V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C24-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C24-TAP是DIODE ZENER 24V 1.3W DO41，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为24V，阻抗最大值Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@18V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为24.2 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为47 mA，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C24_T50R带用户指南，包括25欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供24.2 V的Vz齐纳电压特性，电压齐纳标称Vz设计用于24V，以及5%的电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.008642 oz，装置的公差为±6%，装置具有DO-41供应商装置包装，最大功率为1W，Pd功耗为1W。包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为5.21 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为25 Ohm，高度为2.72 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@17V，配置为单一。
BZX85C24-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于500 nA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒包装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935 oz，器件的电压容差为5.8%，Vz齐纳电压为24 V，宽度为2.72 mm，Zz齐纳阻抗为500 mOhms。
