9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C43-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C43-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C43-TR封装/规格：DIODE ZENER 43V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C43-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如BZX85C43-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX85C43-TAP是DIODE ZENER 43V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为43V，阻抗最大值Zzt为50欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@33V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为43 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为26 mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C43_T50R带用户指南，包括43V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供供应商设备包功能，如DO-41，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大为50欧姆，最大Zzt，电流反向泄漏Vr为500nA@30V。
BZX85C43_T50A，带电路图，包括500nA@30V电流反向泄漏Vr，设计用于50欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±7%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为43V。
