9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C75-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C75-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C75-TAP封装/规格：DIODE ZENER 75V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C75-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C6V8-TAP是DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为3.5欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@4V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0375%/C，齐纳电流为155 mA，Zz齐纳阻抗为3.5欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85C6V8-TR是二极管ZENER 6.8V 1.3W DO41，包括3.5欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于155 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如6.8 V，电压齐纳标称Vz设计用于6.8V，以及6%电压容差，该器件也可以用作0.038%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为3.5 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@4V，配置为单一。
BZX85C75是SUMMIT制造的二极管齐纳单75V 5%1.3W 2引脚DO-41。BZX85C75采用DO-41封装，是二极管齐纳-单体的一部分，支持二极管齐纳单体75V 5%1.3W 2引脚DO-41。
