9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C36-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C36-TR价格参考值0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C36-TR封装/规格：DIODE ZENER 36V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C36-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C36-TAP是DIODE ZENER 36V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大值Zzt为40欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@27V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为36V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为30mA，Zz齐纳阻抗为40欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C36是DIODE ZENER 36V 1W DO41，包括40欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于8 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供Vz齐纳电压特性，如36 V，电压齐纳标称Vz设计用于36V，以及5%电压容差，该装置也可作为1.2V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.008642盎司，该装置的公差为±6%，该装置具有供应商装置封装的DO-41，最大功率为1W，Pd功耗为1 W，包装为散装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为5.21 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为40 Ohm，高度为2.72 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@25V，配置为单一。
BZX85C36_T50A带电路图，包括500nA@25V电流反向泄漏Vr，设计用于40欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±6%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为36V。
