9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C10-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C10-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C10-TR封装/规格：DIODE ZENER 10V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C10-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZX85C10-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX85B9V1-TR是DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大值Zzt为4欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@6.8V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.055%/C，齐纳电流为120 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85B9V1-TAP是DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41，包括5欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于120 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如9.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于6.2V，以及2%电压容差，该装置也可用作0.055%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为4 Ohm，高度为2.6 mm，反向电流Vr为1μA@6.8V，配置为单一。
BZX85C10是DIODE ZENER 10V 1W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如7 Ohm，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为5.21 mm，最大工作温度范围为+200 C，其最低工作温度范围为-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包装为DO-41，公差为±5%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V、宽度为2.72mm，齐纳电流为25mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆。
BZX85C10 R0是齐纳二极管齐纳1300mW 10v，包括卷筒包装，设计用于DO-41-2包装盒，安装方式如数据表注释所示，用于轴向。
