9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5262B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5262B-TR价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5262B-TR封装/规格：DIODE ZENER 51V 500MW DO35。您可以下载1N5262B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5262B-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5262B-TAP是DIODE ZENER 2.5A 51V DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为51V，阻抗最大Zzt为125欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@39V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.096%/K，齐纳电流为2.5 mA，Zz齐纳阻抗为125欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5262B-TP是500mW 51V的齐纳二极管，包括125欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于51 V，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.096%/C下工作，以及0.004833盎司的单位重量，该器件也可以用作1N526系列。此外，Pd功耗为500 mW，该设备采用卷筒包装，该设备具有DO-35封装盒，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，长度为4.2 mm，Ir反向电流为100 nA，高度为2 mm，配置为单一。
1N5262BTA是DIODE ZENER 51V 500MW DO35，包括100nA@37V电流反向泄漏Vr，设计用于125 Ohm阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为51V。
