9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C10-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C10-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C10-TAP封装/规格：DIODE ZENER 10V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C10-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C100-TR是DIODE ZENER 100V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.3W，电压齐纳标称Vz为100V，阻抗最大Zzt为350欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为101V，电压容差为5%，电压温度系数为0.075%/C，齐纳电流为9.4mA，Zz齐纳阻抗为350欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C100-TAP是DIODE ZENER 100V 1.3W DO41，包括350欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于9.4 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如101 V，电压齐纳标称Vz设计用于100V，以及5%电压容差，该装置也可用作0.075%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为350 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，配置为单一。
BZX85C10-T是1.3W的齐纳二极管，包括单配置，设计用于2.72 mm的高度，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于500 nA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒包装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935 oz，器件的电压容差为6%，Vz齐纳电压为10V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为500mOhms。
