9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5235B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5235B-TR价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5235B-TR封装/规格：DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35。您可以下载1N5235B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5235B是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35，包括散装替代包装包装，它们设计用于1N5235B_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.004445盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计用于1.91 mm，以及4.56 mm长度，该设备也可以用作1.91 mm宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@5V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.05%/C，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为3uA。
带用户指南的1N5235B TR，包括6.8V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于1N5235，以及500mW最大功率，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@5V。
1N5235A（DO-35），带电路图，包括3μA@4.8V电流反向泄漏Vr，设计用于在5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±10%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.8V。
1N5235B（DO-35），带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于与DO-35供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了DO-204AH、DO-35、轴向型，提供散装等包装功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及6.8V电压齐纳标称Vz，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，阻抗最大Zzt为5欧姆，该设备提供3μA@5V电流反向泄漏Vr，该设备具有1.5V@200mA电压正向Vf Max If，公差为±5%。
