9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C51-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C51-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C51-TAP封装/规格：DIODE ZENER 51V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C51-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C4V7-TR是DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为2.6 mm，长度4.1 mm，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大值Zzt为13欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为4.7V，电压容差为6%，电压温度系数为0.005%/C，齐纳电流为215 mA，Zz齐纳阻抗为13欧姆，Ir反向电流为3 uA。
BZX85C51是DIODE ZENER 51V 1W DO41，包括115欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于4 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供Vz齐纳电压特性，如51 V，电压齐纳标称Vz设计用于51V，以及5%电压容差，该装置也可作为1.2V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.008642盎司，该装置的公差为±6%，该装置具有供应商装置封装的DO-41，最大功率为1W，Pd功耗为1 W，包装为散装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为5.21 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为115 Ohm，高度为2.72 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@36V，配置为单一。
BZX85C51_T50R，带电路图，包括500nA@36V电流反向泄漏Vr，设计用于115欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±6%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为51V。
