9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C20-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C20-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C20-TR封装/规格：DIODE ZENER 20V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C20-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C20-TAP是DIODE ZENER 20V 1.3W DO41，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010935盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为2.6 mm，长度4.1 mm，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为20V，阻抗最大值Zzt为24欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@15V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为20 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.075%/C，齐纳电流为56 mA，Zz齐纳阻抗为24欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C20-T是1.3W齐纳二极管，包括500 mOhms Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为2.72 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，适用于20 V，具有6%的电压容差特性，单位重量设计工作在0.010935 oz，以及1.3W Pd功耗，该设备也可用作卷筒包装。此外，包装箱为DO-41，该设备采用通孔安装方式，该设备长度为5.51 mm，Ir反向电流为500 nA，高度为2.72 mm，配置为单一。
BZX85C200（1.3W），电路图由LJ制造。BZX85C200（1.3W）采用DO-15封装，是IC芯片的一部分。
