9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5266B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5266B-TR参考价格0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5266B-TR封装/规格：DIODE ZENER 68V 500MW DO35。您可以下载1N5266B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5266B是DIODE ZENER 68V 500MW DO35，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计为与（DO-35）零件别名一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为200°C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，容差为±5%，该设备的最大功率为500mW，该设备具有68V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为230欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@49V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
带用户指南的1N5266B BK，包括68V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，该系列设计用于1N526，以及500mW功率最大值，该设备也可以用作散装替代包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为230欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@52V。
1N5266B（DO-35），带电路图，包括100nA@52V电流反向泄漏Vr，设计用于230欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为68V。
