9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C3V3-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C3V3-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C3V3-TR封装/规格：DIODE ZENER 3.3V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C3V3-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85C3V3-TAP是DIODE ZENER 3.3V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，提供安装类型功能，如通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长度，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为3.3V，阻抗最大值Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为40μa@1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3.3 V，电压容差为6%，电压温度系数为-0.065%/C，齐纳电流为300 mA，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为40 uA。
BZX85C3V3_T50R带用户指南，包括3.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供供应商设备包功能，如DO-41，功率最大设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为20欧姆，电流反向泄漏Vr为60μa@1V。
BZX85C3V3-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于40 uA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒封装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935盎司，器件的电压容差为6%，Vz齐纳电压为3.3V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为40欧姆。
