9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C56-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C56-TAP价格参考值0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C56-TAP封装/规格：DIODE ZENER 56V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C56-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C56_T50R带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，具有通孔等安装类型特征，供应商设备封装设计用于DO-41，以及±7%的公差，该设备也可用于1W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为56V，该器件提供120欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有500nA@39V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA。
BZX85C56_T50A带有用户指南，包括56V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供了供应商设备包功能，如DO-41，功率最大值设计为1W，以及磁带盒（TB）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为120欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@39V。
BZX85C56是DIODE ZENER 56V 1W DO41，包括500nA@39V电流反向泄漏Vr，设计用于在120欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±7%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为56V。
