9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5237B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5237B-TR价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5237B-TR封装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35。您可以下载1N5237B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5237BTR是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于1N5237BTR_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004445盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.91 mm，长度4.56 mm，该装置也可以用作1.91mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@6.5V，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为8.2 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.062%/C，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5237B-TAP是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如8.2 V，电压齐纳标称Vz设计用于8.2V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.062%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，装置的单位重量为0.004409盎司，装置的公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为8欧姆，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@6.5V，配置为单一。
1N5237B-TP是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计为在6.5V电流反向泄漏Vr下工作3μa，高度如数据表注释所示，用于2mm，提供阻抗最大Zzt特性，如8欧姆，Ir反向电流设计为在3μa下工作，长度为4.2mm，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~150℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为1N523；供应商设备封装为DO-35；公差为±5%；单位重量为0.004833 oz；电压正向Vf Max If为1.1V@200mA；电压温度系数为0.062%/C；电压容差为20%；电压齐纳标称Vz为8.2V；Vz齐纳电压为8.2V，Zz齐纳阻抗为8欧姆。
