9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C16-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C16-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C16-TR封装/规格：DIODE ZENER 16V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C16-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C15-TR是DIODE ZENER 15V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该设备也可以用作2.6毫米宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为15V，阻抗最大值Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@11V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为14.7V，电压容差为6%，电压温度系数为0.072%/C，齐纳电流为71 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C15-TAP是DIODE ZENER 15V 1.3W DO41，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于71 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供14.7 V的Vz齐纳电压特性，电压齐纳标称Vz设计用于15 V，以及6%的电压容差，该装置也可用作0.072%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935 oz，装置提供±6%公差，装置具有DO-41供应商装置包装，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为15 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@11V，配置为单一。
BZX85C16是DIODE ZENER 16V 1W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@11V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如15欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为5.21 mm，它的最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包为DO-41，公差为±6%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为16V，Vz齐纳电压为16V、宽度为2.72mm，齐纳电流为15mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆。
