9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GF1JHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GF1JHE3/67A参考价格为1.594美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GF1JHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA。您可以下载GF1JHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GF1J-E3/67A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003668盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERECTFIER商标，该装置也可用作DO-214BA包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214BA（GF1）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为3000ns。
GF1JHE3/5CA是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1 V@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V等正向电压特性，单位重量设计为0.003668 oz，以及DO-214BA（GF1）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有3000 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214BA，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准型，反向泄漏电流Vr为5μA@600V，平均整流电流Io为1A，配置为单一。
GF1J/17，带有VISHAY制造的电路图。GF1J/17采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
