9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GF1MHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GF1MHE3/67A参考价格为0.466美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GF1MHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA。您可以下载GF1MHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GF1M-E3/5CA是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供GF1M-E3/67A等零件别名功能，单位重量设计为0.003668盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作SUPERECTIER商标名。此外，封装外壳为DO-214BA，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214BB（GF1），且配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为3000ns。
GF1M-E3/67A是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.2 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于1000 V（1KV）的直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.003668盎司，以及SUPERECTIER商标，该设备也可以用作DO-214BA（GF1）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备具有2μs的反向恢复时间trr，恢复时间为3000 ns，产品为标准恢复整流器，零件别名为GF1M-E3/5CA，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
GF1MHE3/5CA是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA，包括单一配置，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于1A，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为30 A，最小工作温度范围是-65℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，包装箱为DO-214BA，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为3000 ns，反向恢复时间trr为2μs，系列为SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-214BA（GF1），单位重量为0.003668 oz，Vf正向电压为1.2 V，电压DC反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Vr反向电压为1000V。
