9icnet为您提供Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V20WL45-M3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V20WL45-M3/I参考价格为0.358美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V20WL45-M3/I封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20A 45V DPAK。您可以下载V20WL45-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V20PL60-M3/86A，带引脚细节，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr在60V时为4mA，该器件的电压正向Vf最大值为590mV@20A。如果，该器件具有60V的电压直流反向Vr最大值，电流平均整流Io为5.5A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V20PL60-M3/87A带用户指南，包括590mV@20A电压正向Vf Max。如果设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为4mA@60V，电流平均整流Io为5.5A。
V20W是压电式能量采集器，包括压电振动能量采集器、气密密封功能，设计用于通孔安装型，工作温度范围为-40°C~90°C，提供模拟等输出型功能，封装外壳设计用于悬臂压电薄膜（晶圆），以及75Hz~175Hz传感范围，该设备也可用作加速度传感器类型。此外，该系列是Volture？，该设备在PC引脚终端中提供。
V20W60C-M3是VISHAY制造的二极管肖特基20A 60V DPAK。V20W60C-M3采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，支持二极管肖特基20A 60V DPak。
