9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSB2045Y-M3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSB2045Y-M3/54参考价格为0.348美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSB2045Y-M3/54封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600。您可以下载VSB2045Y-M3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSB15L45-M3/54是DIODE GEN PURE 45V 7A P600，包括肖特基整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.074075盎司，提供轴向、商标名称等安装样式功能，用于TMBS，以及P600轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该设备在P600供应商设备包中提供，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1mA@45V，电压正向Vf Max If为440mV@7.5A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7A，电容Vr F为1995pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，If正向电流为15 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为200 A。
带用户指南的VSB1545S-E3/73，包括590mV@15A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带盒（TB）替代包装，该器件也可用作DO-201AD，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@45V，电流平均整流Io为7A，电容Vr F为1995pF@4V，1MHz。
VSB15L45-M3/73带有电路图，包括1430pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于7A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于4mA@45V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于通孔，它具有-40°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作P600轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB）交替包装，该设备以TMBSR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为P600，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为570mV@15A。
