9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DZ3X120D0L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZ3X120D0L价格参考$4.003712。松下电子元件DZ3X120D0L包装/规格：DIODE ZENER ARRAY 12V MINI3。您可以下载DZ3X120D0L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZ3X062D0L是DIODE ZENER ARRAY 6.2V MINI3，其中包括齐纳二极管产品，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品具有1.1 mm的高度特性，宽度设计为1.5 mm，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Mini3-G3-B，该设备采用1对公共阳极配置，该设备最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大Zzt为50欧姆，反向电流泄漏Vr为200nA@4V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为1 V（10 mA），Vz齐纳电压为6.2 V，电压容差为5%，电压温度系数为2.3 mV/C，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为200 nA。
DZ3X068D0L是二极管ZENER阵列6.8V MINI3，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.5毫米宽的工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于6.8 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如6.8V，电压容差设计为工作在5%，以及3.1 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该设备采用Mini3-G3-B供应商设备包提供，该设备的最大功率为200mW，Pd功耗为200 mW，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为30 Ohm，高度为1.1 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@4V，配置为1对公共阳极。
DZ3S120D0L是DIODE ZENER ARRAY 12V SSMINI3，包括1对公共阳极配置，设计用于在50nA@9V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计用于50nA，最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-89、SOT-490封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为150mW，最大功率为150mW；供应商器件封装为SS-Mini3-F3-B，10mA时Vf正向电压为1 V，10mA下Vf最大值为1V，电压温度系数为8.5 mV/C，电压容限为5%，电压齐纳标称Vz为12V，Vz齐纳电压为12V，宽度为0.85mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
DZ3X056D0L，带EDA/CAD型号，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，设计用于带卷（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供SMD/SMT等安装类型功能，供应商设备封装设计用于Mini3-G3-B和DZ3系列，该器件也可以用作500nA@2.5V电流反向泄漏Vr。此外，Ir反向电流为500 nA，器件提供5.88 V Vz齐纳电压，器件具有5.6V电压齐纳标称Vz，且Zz齐纳阻抗为40欧姆，阻抗最大值Zzt为40欧姆、功率最大值为200mW，Pd功耗为200mW、电压温度系数为2 mV/C，电压正向Vf Max If为1V@10mA，其工作温度范围为150°C，Vf正向电压为1 V，配置为1对公共阳极，公差为±5%，最大工作温度范围+150 C。
