9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的ZPY9.1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZPY9.1参考价格0.22617美元。Diotec Semiconductor ZPY9.1封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41。您可以下载ZPY9.1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZPY82-TR是DIODE ZENER 82V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，提供安装样式特征，如通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长度，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为82V，阻抗最大值Zzt为1欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为82.5 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.105%/C，齐纳电流为12 mA，Zz齐纳阻抗为160欧姆。
ZPY82-TAP是DIODE ZENER 82V 1.3W DO41，包括160欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于12 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如82.5 V，电压齐纳标称Vz设计用于82V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.105%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，阻抗最大值Zzt为1欧姆，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，配置为单一。
ZPY8V2-TR是DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@6V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6mm，提供阻抗最大Zzt特性，如1欧姆，长度设计为4.1mm，其最大工作温度范围为+175℃，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，该设备采用通孔安装方式，工作温度范围175℃，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为1.3 W，最大功率为1.3W，系列为汽车，AEC-Q101，供应商设备包为DO-41，公差为±5%，单位重量为0.010935 oz，电压温度系数为0.055%/C，电压公差为6%，电压齐纳标称Vz为8.2V，Vz齐纳电压为8.2V、宽度为2.6mm，齐纳电流为127mA，Zz齐纳阻抗为2欧姆。
ZPY8V2-TAP是DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41，包括通孔安装型，设计用于通孔安装类型，包装如数据表注释所示，用于磁带盒（TB）替代包装，提供配置功能，如单个，供应商设备包装设计用于DO-41，以及DO-204AL、DO-41轴向包装箱，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，电压齐纳标称Vz为8.2V，器件提供8.2 V Vz齐纳电压，器件具有6%的电压容差，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，长度为4.1mm，高度为2.6mm，宽度为2.6mm。Zz齐纳阻抗为2欧姆，工作温度范围为175°C，齐纳电流为127mA，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W，阻抗最大Zzt为1欧姆，电压温度系数为0.055%/C，单位重量为0.010935盎司，公差为±5%，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃。
