9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5240B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5240B-TAP价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5240B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 10V 500MW DO35。您可以下载1N5240B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5240BDO35，带销细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包装设计用于DO-35，以及±5%公差，该器件还可以用作500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为10V，该器件提供17欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有3μa@8V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA。
1N5240B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括10V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为600欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@7V。
1N5240BTA是DIODE ZENER 10V 500MW DO35，包括3μA@7.6V电流反向泄漏Vr，设计用于在17欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为10V。
