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MMBZ5251C-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MMBZ5251C-V-G-18，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有供应商设备封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±2%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为22V，阻抗最大Zzt为29欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@17V，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为22V，电压容差为5%，电压温度系数为0.087%/C，Zz齐纳阻抗为29欧姆，Ir反向电流为100nA。
MMBZ5251C-HE3-08，带有用户指南，包括29欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于22 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于22 V的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.087%/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为225mW，Pd功耗为225mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为29 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@17V，配置为单一。
MMBZ5251C-HE3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在100nA@17V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于29欧姆，提供Ir反向电流特性，如100nA，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为225 mW，最大功率为225mW，产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车AEC-Q101，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±2%，单位重量为0.000310盎司，电压温度系数为0.087%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为22V，Vz齐纳电压为22V、Zz齐纳阻抗为29欧姆。
