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MMSZ5257C-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供零件别名功能，如MMZ5257C-V-G-18，单位重量设计为0.000363盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可作为SOD-123封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该装置为表面安装型，该装置具有供应商装置封装的SOD-123，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为58欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.092%/C，Zz齐纳阻抗为58欧姆，Ir反向电流为100 nA。
MMSZ5257C-HE3-08和用户指南，包括58欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于33 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于33 V的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.092%/C，以及0.000363 oz单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOD-123，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-13，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为58 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，配置为单一。
MMSZ5257C-HE3-18，带有电路图，包括单配置，它们设计为在100nA@25V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于58欧姆，提供Ir反向电流功能，如100nA，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SOD-123封装盒，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车AEC-Q101，供应商器件封装为SOD-123，公差为±2%，单位重量为0.000363盎司，电压温度系数为0.092%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为33V，Vz齐纳电压为33 V，Zz齐纳阻抗为58欧姆。
