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1N5267B-TAP是DIODE ZENER 1.7A 75V DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7 mm以及3.9 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为75V，阻抗最大Zzt为270欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@56V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为75 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.098%/K，齐纳电流为1.7 mA，Zz齐纳阻抗为270欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5267B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括75V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为1700欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@56V。
1N5267BDO35，带电路图，包括100nA@56V电流反向泄漏Vr，设计用于270 Ohm阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为75V。
