特色
- <=830mW总功耗
- 低差动电阻
- 2.4至75V（E24范围）标称工作电压范围
- AEC-Q101合格
BZT52H-C6V2,115
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 375毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-123F 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TA）
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.46258 | 2.46258 |
| 10+ | 2.02076 | 20.20769 |
| 100+ | 1.07050 | 107.05010 |
| 500+ | 0.70415 | 352.07750 |
| 1000+ | 0.47882 | 478.82800 |
| 3000+ | 0.29254 | 877.62300 |
| 6000+ | 0.26385 | 1583.15400 |
| 15000+ | 0.22945 | 3441.82500 |
| 30000+ | 0.20649 | 6194.85000 |
| 75000+ | 0.18353 | 13765.12500 |
- 库存: 2850
- 单价: ¥2.46259
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.46
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 部件状态 可供货
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 安装类别 表面安装
- 公差 ±5%
- 标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
- 最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 3.A@4伏
- 最大功率 375毫瓦
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TA）
- 包装/外壳 钠-123F
- 供应商设备包装 SOD-123F
BZT52H-C6V2,115 产品详情
BZT52H系列通用单齐纳二极管采用SOD123F小型塑料表面安装器件（SMD）封装设计。适用于一般调节功能。
BZT52H-C6V2,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C6V8115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZT52H-C6V8115 | ¥0.10357 |
| BZT52H-C5V1,115 | 安世 (Nexperia) | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F | ¥0.12313 |
 | BZT52H-C10,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C27,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-B3V9,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C62,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C15,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 15V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C13,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C56,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 56V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C2V7,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
BZT52H-C6V2,115所属分类：单齐纳二极管，BZT52H-C6V2,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZT52H-C6V2,115价格参考￥2.462586，你可以下载 BZT52H-C6V2,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZT52H-C6V2,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
