9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C100-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C100-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C100-TAP封装/规格：DIODE ZENER 100V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C100-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C10_T50R，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，其设计用于0.008642盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.72 mm的高度特征，长度设计为5.21 mm，以及2.72 mm宽，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有供应商设备封装的DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大值Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@7V，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为10V，电压容差为5%，齐纳电流为25mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C10是DIODE ZENER 10V 1W DO41，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于25 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供Vz齐纳电压特性，如10 V，电压齐纳标称Vz设计用于10V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.008642 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有供应商设备包的DO-41，功率最大值为1W，Pd功耗为1 W，包装为散装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为5.21 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为7 Ohm，高度为2.72 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@7V，配置为单一。
BZX85C10 R0是齐纳二极管齐纳1300mW 10v，包括轴向安装型，设计用于DO-41-2包装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
