9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C4V3-TAP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C4V3-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C4V3-TAP封装/规格:DIODE ZENER 4.3V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C4V3-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85C4V3_T50R,带引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,具有通孔等安装类型特征,供应商设备封装设计用于DO-41,以及±7%的公差,该设备也可用于1W功率最大值。此外,电压齐纳标称Vz为4.3V,该器件提供13欧姆阻抗最大Zzt,该器件具有3μa@1V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf最大If为1.2V@200mA。
BZX85C4V3_T50A带用户指南,包括4.3V电压齐纳标称Vz,它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±7%,提供供应商设备包功能,如DO-41,功率最大值设计为1W,以及磁带盒(TB)封装,该设备也可以用作DO-204AL、DO-41,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,设备为通孔安装型,设备阻抗最大为13欧姆,最大Zzt,电流反向泄漏Vr为3μa@1V。
BZX85C4V3RL带有ON制造的电路图。BZX85C3V3RL采用DO-41封装,是IC芯片的一部分。