9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的HER302G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HER302G参考价格为0.572美元。台湾半导体公司HER302G封装/规格：DIODE GEN PURP 3A 100V DO-201AD。您可以下载HER302G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HER301-T是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.038801盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-201AD、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.1V@3A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为200 A，恢复时间为50 ns。
带用户指南的HER301GT-G，包括1V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-27中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr等速度特性，设计为50ns，以及磁带盒（TB）替代包装，该器件也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为3A。
HER302-B是整流器3A 100V 50ns，包括单一配置，它们设计为在3 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在200 a下工作，它的最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-201AD，该设备为散装包装，该设备具有标准产品回收整流器，回收时间为50纳秒，单位重量为0.038801盎司，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为100 V。
HER302是TSC制造的二极管开关100V 3A 2引脚DO-201AD。HER302在DO-201AD封装中提供，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管开关100V 3A 2引脚DO-201AD。
