9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的1N5391G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5391G参考价格为0.374美元。台湾半导体公司1N5391G封装/规格：DIODE GEN PURP 1.5A 50V DO-15。您可以下载1N5391G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5391-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011711盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.5A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为2000ns。
1N5391-E3/73是DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AL，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1.4V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.4 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.011711盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备的恢复时间为2000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度接合范围为-50°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为1.5A，并且配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N5391-B是整流器Vr/50V Io/1.5A BULK，包括单一配置，它们设计为在1.5 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175 C，最大浪涌电流设计为在50 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-15，该设备为散装包装，该设备具有标准产品回收整流器，单位重量为0.012346盎司，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为50 V。
