包装：DO-41型
特征
1.玻璃钝化模具结构
2.低正向压降
3.高电流能力
4.高可靠性
5.高浪涌电流能力
最大额定值
机械数据
1.外壳：DO-41，模制塑料D
2.端子：根据MIL-STD-202方法208可焊接的电镀引线
3.极性：阴极带
4.重量：0.35克（约）
5.安装位置：任意
6.标记：型号
文件中的其他数据表：
1N4933G:50伏
1N4934G:100伏
1N4936G:400伏
1N4937G:600伏
1N4935G
- 描述:二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 200伏 整流平均值 (Io): 1A (DC) 反向恢复时长 (trr): 200纳秒 供应商设备包装: DO-204AL（DO-41） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥3.78079
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 整流平均值 (Io) 1A (DC)
- 速度 快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
- 工作结温 -55摄氏度~150摄氏度
- 二极管种类 标准
- 电容@Vr、法数 10皮法@4V，1MHz
- 最大直流反向电压 (Vr) 200伏
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 5 A @ 200 V
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 DO-204AL，DO-41，轴向
- 制造厂商 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.2伏@1 A
- 供应商设备包装 DO-204AL（DO-41）
- 反向恢复时长 (trr) 200纳秒
1N4935G 产品详情
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1N4935G所属分类：单整流二极管，1N4935G 由 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N4935G价格参考￥3.780794，你可以下载 1N4935G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N4935G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
40多年来，台湾半导体因其在离散功率整流器方面的核心竞争力而受到认可，该公司已扩大其产品组合，包括沟道肖特基、模拟集成电路、LED驱动集成电路、功率晶体管和MOSFET，现在从一个来源提供完整的解决方案...
