9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的BZX84C9V1S-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C9V1S-7-F参考价格为0.45000美元。Diodes Incorporated BZX84C9V1S-7-F封装/规格：DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363。您可以下载BZX84C9V1S-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX84C9V1LT3G是DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3，包括BZX84C9 V1L系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，该装置也可以用作1.3mm宽。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±5%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为15欧姆，反向电流泄漏Vr为500nA@6V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为6%，电压温度系数为5.4 mV/K，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX84C9V1S-7是DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供供应商设备包功能，如SOT-363，功率最大值设计为200mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可作为6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有15欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，配置为2独立。
BZX84C9V1LT3是DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3，包括500nA@6V电流反向泄漏Vr，它们设计为在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能。封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及225MW最大功率，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，公差为±5%，该器件提供900mV@10mA正向电压Vf Max，如果该器件具有9.1V的电压齐纳标称Vz。
