9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ27VDA-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ27VDA-HE3-08参考价格为0.42000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ27VDA-HE3-08封装/规格：DIODE ZENER 27V 225MW SOT23。您可以下载MMBZ27VDA-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBZ27VDA-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供部件别名功能，如MMBZ27VDE-V-G-08，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2，配置为1对公共阳极，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为27V，电流反向泄漏Vr为80nA@22V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为40W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vz齐纳电压为27V，电压温度系数为30mV/C，Ir反向电流为80nA。
MMBZ27VDA-G3-18带有用户指南，包括27V Vz齐纳电压，它们设计为在27V电压齐纳标称Vz下工作，数据表注释中显示了在30mV/C下使用的电压温度系数，提供电压正向Vf最大值。如果功能如1.1V@200mA，Vf正向电压设计为在1.1V下工作，以及0.000286盎司单位重量，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该器件以小信号齐纳二极管产品提供，该器件的最大功率为225mW，Pd功耗为40W，零件别名为MMBZ27VDA-V-G-18，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为80 nA，电流反向泄漏Vr为80nA@22V，配置为1对公共阳极。
MMBZ27VDA-GS08是VISHAY制造的ESD抑制器齐纳22V 3引脚SOT-23。MMBZ27VDA-GS08采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分，支持ESD抑制器齐纳22V 3引脚SOT-23。
