特色
- 5µA反向泄漏电流
- 450pF电容
BZX84C3V3
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 富信 (FOSAN)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 30
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 0.07419 | 222.58800 |
- 库存: 24000
- 单价: ¥0.09989
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.00
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 公差 ±5%
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 5 A @ 1 V
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大功率 300毫瓦
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 最大阻抗值 (Zzt) 95欧姆
- 标称齐纳电压 (Vz) 3.3伏
- 制造厂商 富信 (FOSAN)
- 工作温度 -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
BZX84C3V3 产品详情
BZX84C3V3是齐纳二极管。这种齐纳二极管是通用的，适用于许多不同的应用。
BZX84C3V3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX84C3V3所属分类：单齐纳二极管，BZX84C3V3 由 富信 (FOSAN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX84C3V3价格参考￥0.099894，你可以下载 BZX84C3V3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX84C3V3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
富信 (FOSAN)
安徽富信半导体科技有限公司 是一家以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为主体的半导体厂商，从日本、韩国、欧美等国购置具有国际先进水平的自动化生产设备。 技术部团队拥有将近20年的设计,生产经验. 公...
